Вольтамперные характеристики полевого транзистора с p-n-переходом

Выходных характеристики полевого транзистора в схеме с общим истоком (ОИ) приведены на рис. 24.

Выходных характеристики имеют начальный крутой участок в области от 0 до UНАС , которые описываются формулой (57), и пологий при UСИ>UНАС, где. ток стока IС остается практически постоянным, этот участок ВАХ называется участком насыщения. Незначительное увеличение тока стока IС в режиме насыщения при повышении UСИ объясняется некоторым увеличением длины перекрытого участка и соответствующим уменьшением длины канала и падения напряжения на канале. Поэтому выходная дифференциальная проводимость в режиме насыщения имеет конечное значение.

При дальнейшем увеличение UСИ наступает пробой р-n-перехода и IС лавинообразно возрастает. Пробой возникает на перекрытом участке канала в области стока, где напряженность поля максимальна.


Передаточные характеристики IС= при UСИ=const для пологого участка выходных характеристик (UСИ>UНАС) приведены на рис25. Ток IС имеет максимальное значение при UЗИ =0. При UЗИ=UОТС канал перекрывается по всей длине, ток выходной цепи становится минимальным и определяется лишь током неосновных носителей заряда. Этот ток является неуправляемым и может составлять единицы наноампер.

Передаточная характеристика теоретически описывается формулой (58), на практике пользуются более удобной аппроксимацией:

, (60)

которую обычно записывают в виде:

, , (60а)

где b – удельная крутизна.

Входные характеристики представляют собой обратную ветвь вольтамперной характеристики p-n-перехода затвора. Ток затвора составляет единицы – десятки нА, входное сопротивление – 108¸109 Ом.