Обработка результатов измерений. 1. По данным таблицы построить график зависимости lnR от 1/T

1. По данным таблицы построить график зависимости lnR от 1/T.

2. Методом наименьших квадратов найти коэффициент пропорциональности a зависимости lnR от 1/T.

3. По найденному значению aнайти энергию активации примеси Eа по формуле (3). Результат представить в Дж и эВ.

4. Определить относительную и абсолютную ошибку определения Eа. Ошибку определения анайти по формуле:

,

где Sa определяется по формуле:

,

где t – коэффициент Стьюдента.

Контрольные вопросы

1. Привести структуру энергетических зон проводника и диэлектрика.

2. В чём различие между зависимостью от температуры сопротивления полупроводников и металлов?

3. Чем обусловливается зависимость металлов от температуры?

4. Каков механизм собственной проводимости полупроводников?

5. Чем обусловливается зависимость собственных полупроводников от температуры?

6. Какова структура энергетических зон собственных полупроводников?

7. Каков механизм примесной проводимости полупроводников (донорной и акцепторной)?

8. Какова структура энергетических зон донорных и акцепторных полупроводников?

9. Чем обусловливается зависимость примесных полупроводников от температуры?